비하인드 인포메이션

이 글은 반도체칩의 제조공정, 특히 Device가 세밀화되는 시점인 EUV(극자외선)공정이 진행되면서 반도체 공정, 특히 Lithography에 기인한 패터닝공정과 연관된 글이다. Stochastics와 연관된 Rougness는 Device에 많은 문제를 야기 시키며, 이런 문제들의 요인은 아래와 같은 문제로 정리할수 있다. - Within-Feature roughness의 문제, 즉 선폭의 Roughness, LWR, LER이 해당이 되며, 이것들은 전기적인 특성에 영향을 준다. - Feature와Feature의 오차를 만드는 문제, 즉 LCDU(Local CD Uniformity),LPPE(Local Pattern Placement errors),LEPE(Local Edge Placement Erro..

OPC(optical proximity correction)의 약자로 마스크 패턴을 웨이퍼에 비출 때, 미리 변형될 값을 계산하여, 이변형값을 보정하는 패턴을 의미한다. 위의 Flow Diagram은 OPC Model에 의한 기본적 단계를 보여준다. 즉 Lithography Tool에서 Diffraction-Induced Limitation의 보정을 예상해준다. Advanced OPC에서는 Mask상의 아주 작은 변화의 다각형(Tiny Perturbation Polygons)의 추가나 제거를 통해 웨이퍼의 특정위치상의 End Pattern의 개선된 결과를 만든다. a) Solid white모양의 Mask Design과 검정색선은 OPC로 예상되는 패턴의 외곽선을 나타낸다.b) Serifs의 예로 디자인모..