비하인드 인포메이션

이 이야기는 정책의 실수와 국민혈세를 허비한 대표적인 사례로 우리나라 반도체, 특히 MEMS등 센서의 역할을 한순간의 실수로 날려먹은 사례입니다. 우리나라 반도체육성을 위해 멀쩡한 반도체센서용 팹을 만들고 비운의 역사로 조용히 사라진 인천송도에 위치했던 RFID/USN센터 또는 USN FAB센터의 이야기로 현재는 언론에 비치지 않고 조용히 역사속으로 사라진 이야기입니다. 이 이야기의 마무리는 결국 대전 나노종합팹센터를 건립하는데 기여한 현재는 고인이 되신 홍창선위윈의 의견이 맞는 말이었으며 국민혈세의 중복등과 정치권의 지역균형이라는 명분하에 나눠먹기식 예산투입을 하여 거금을 들여 구축한 반도체팹(Fab)하나가 없어진 이야기 입니다. 정식센터의 명칭은 RFID/USN Fab센터이지만 이유가 RFID개발과 ..

반도체장비의 SC(Supply Chain)을 분석하면서 반도체산업의 최상위 SKHYNIX의 투자(CAPEX)감소가 장비업체와 그 이하의 부품업체에 어떤 영향과 실적을 미치는지 그 흐름을 파악해 보자. 아래 라온테크라는 회사와 테스라는 회사를 분석해 본다 1. 2023년 국내 반도체메이커 삼성과 하이닉스의 CAPEX(투자)축소 - 한마듸로 글로벌시장과 Dram값의 하락으로 2023년 1분기부터 엄청난 수십조 물량의 재고가 쌓이면서 소위 CAPEX투자의 적신호가 켜졌다. 반도체산업은 타 산업과 달리 신규투자 특히 설비투자의 경우 6~12개월의 선행투자를 고려하는데, 2023년 1년동안은 앞이 보이지 않고, 투자 역시 최소화되면서 관련 이하 산업계가 타격을 받게 되었다. - 이 타격도는 2023년 2분기 실적..

우리는 지난 반세기 동안 우리는 Moore의 법칙을 생각하게 되었습니다. 즉, 주어진 실리콘 면적에서 트랜지스터의 수가 대략 매 두 해마다 두 배로 증가하여 컴퓨팅을 발전시키는 이득을 얻는 것을 자연적이고 불가피한 과정인 것처럼 그냥 발생하는 것으로 여기게 되었습니다. 그러나 현실은 달라요. Moore의 법칙과 발맞추기 위해서는 거의 상상할 수 없는 시간, 에너지 및 인간적 창의력의 비용이 필요합니다. 지구상에서 가장 복잡한 기계장비들로 무한한 면적을 가득 채우며 전 세계 여러 대륙에서 수천 명의 사람들이 참여해야 합니다. 이러한 기계 중 가장 중요한 것 중 하나는 극자외선(EUV) 리소그래피(photolithography)를 수행하는 기계입니다. 수십 년간의 연구 개발 끝에 나온 EUV 리소그래피는 지..

대한민국반도체가 어떻게 시작되었는지의 역사는 많은 사람들의 노고와 수고가 있었다. 먼저 그당시 일본정부는 1975년 '반도체전쟁'을 선포하고 미국을 따라잡기 위해 앞장서 뛰기 시작했다. 정부 300억 엔, 5개 민간기업이 400억 엔을 출자하여 총 700억 엔 규모의 자금을 집중 투자하여 4년 내에 미국을 압도할 수 있는 집적회로를 개발하는 프로젝트인 VLSI기술연구조합 설립이 바로 그것이다. 실제로 일본은 이 프로젝트는 크게 성공하여 1976년 16K비트, 1979년에 64비트 메모리를 출시한데 이어 다음해인 1980년에 256K비트 메모리를 잇달아 출시하면서 메모리분야에서는 미국을 완전히 따돌리는 데 성공했다. 이처럼 세계 시장구조가 거대한 지각변동을 일으키며 역동적으로 바뀌고 있던 1970년대 중후..

반도체 패권전쟁에서 최근 Hot한 뉴스는 역시 삼성전자의 3nm GAA의 발표와 TSMC와의 수율전쟁의 뉴스입니다. 여기에 Intel도 미래의 칩기술을 선점하기 위해 ASML사의 HighNA장비의 첫 구매자와 동시에 Intel4 Chip의 Roadmap을 발표을 했고, 관련된 많은 정보들은 기술에 생소한 일반인들에게도 이제는 이해가 될만큼 이 3개의 거대한 Chip maker회사들의 수율경쟁은 반도체기술업계에서는 주요 관심사로 뉴스에 많이 나오고 있습니다. ASML사의 EUV공정은 ArF공정과는 다른 13.5nm EUV파장광원을 다루기 위한 EUV Mask 즉 광원의 반사도를 기반으로 하는 기술이라 여러가지 기술적인 장벽이 있는데, 특히 Tech Node가 줄어들면서 수율과 관련된 Defect과의 싸움은..

그 많은 polytypes 중에 3-C SiC / 4H-SiC / 6H-SiC 가 가장 흔하게 많이 쓰임 그중에서도 실제 파워소자에 쓰이는 실리콘카바이드의 웨이퍼의 종류는 4H-SIC이다. Periodicity가 가장 큰 차이점인데 3C : ABC-ABC 4H : ABCB-ABCB- 6H : ABCACB-ABCACB 이러한 polytye stacks 들을 갖는다. 하지만 가장 많이 쓰이는 것은 4H-SiC 구조인것 그 이유로는 ​ 1. 가장 높은 Bandgap(3.26eV)를 갖는다 -----> 고온에서 동작유리 밴드갭이란 하나의 전자 (electron)가 속박 상태 (bound state)에서 자유롭게 벗어나기 위해 필요한 최소의 에너지의 양이다. ​ 2. Electron moibility(전자이동도)..

네델란드 ASML는 최근 EUV노광장비의 세계유일의 반도체 장비 독점회사로 잘 알려져 있는 회사이다. 이 회사는 소위 '슈퍼을'이라는 위치로 반도체 Chip maker의 인텔,TSMC,삼성을 쥐락펴락 하고 있다 2020년 6월15일 ASML은 Berliner Glas라는 독일회사를 인수를 한 기사가 나온다. 잘나가는 돈 잘버는 회사가 이 독일회사를 비싼 값에 인수한 이유가 뭘까? ASML snaps up Berliner Glas as EUV orders near €10BN 15 Jul 2020 https://optics.org/news/11/7/27 ASML snaps up Berliner Glas as EUV orders near €10BN ASML snaps up Berliner Glas as EUV..

베일에 가려져 있는 중국반도체장비회사의 역사와 현재상황을 잘이해할수 있는 어느 기사의 내용입니다. *출처:SV인베스트먼터

이 글은 반도체칩의 제조공정, 특히 Device가 세밀화되는 시점인 EUV(극자외선)공정이 진행되면서 반도체 공정, 특히 Lithography에 기인한 패터닝공정과 연관된 글이다. Stochastics와 연관된 Rougness는 Device에 많은 문제를 야기 시키며, 이런 문제들의 요인은 아래와 같은 문제로 정리할수 있다. - Within-Feature roughness의 문제, 즉 선폭의 Roughness, LWR, LER이 해당이 되며, 이것들은 전기적인 특성에 영향을 준다. - Feature와Feature의 오차를 만드는 문제, 즉 LCDU(Local CD Uniformity),LPPE(Local Pattern Placement errors),LEPE(Local Edge Placement Erro..

LELE(Litho-Etch-Litho-Etch) Process Diagram