비하인드 인포메이션

반도체칩디자이 축소되면서 단일 디지털 나노미터 영역에 접근하고 있으며, 이로 인해 공정 제어를 위한 Critical Dimension (CD) 측정이 점점 더 어려워지고 있습니다. 현재 인라인 공정 모니터링에서 사용되는 두 가지 주요 CD 측정 방법은 CD-SEM과 OCD이며, CD-SEM이 여전히 주도적인 역할을 하고 있습니다. OCD는 CD, 패턴 프로파일 및 기타 물질 특성에 대한 정보를 제공할 수 있지만, 회절 격자(Grating) 동작이 필요하고 면적 평균을 보고하기 때문에 CD-SEM의 보완적인 역할을 합니다. 우리는 전자빔(e-beam) 용량이 포토레지스트(PR) 축소를 유발한다는 것을 알고 있으며, 이는 CD-SEM 레시피를 최적화하는 데 어려움을 추가합니다. 또한, 더 작은 CD 차원에서..

Applied Materials의 에처 홍보 자료인 Centris Sym3 Y Magnum은 EUV 패터닝에서 20% 향상된 CDU(치수 균일성), 더 나은 확률적 성능, 매몰된 워드 라인 식각에서 2배 향상된 선택성, 그리고 DRAM 공정에서 SAXP용 Pioneer 하드마스크 필름에서 25% 향상된 LWR(선폭 거칠기)을 보여주고 있습니다. Sym3는 식각 공정 중에 미세한 각도의 이온과 더 나은 이온-라디칼 비율 제어를 제공하여 PR(포토레지스트) 형상을 개선하고 대칭적으로 유지할 수 있으며, 이는 피치 워킹 및 CD(치수) 불균형을 개선할 수 있습니다. 매우 흥미롭고 유익한 자료입니다.  * 출처: 어플라이드머트리얼

하이 NA EUV(High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet) 리소그래피, 특히 얇은 포토레지스트(PR)에 대한 측정기술(metrology)과 결함 관리(defectivity)의 진전은 2025년경에 예상되는 하이 NA EUV 시대로의 전환에 있어 중요한 이정표입니다. 2022년 EUV 리소그래피(EUVL) 워크숍에서 인텔의 발표는 이러한 전환이 실현 가능하다는 것을 뒷받침하는 중요한 발전을 보여주었습니다.  주요 내용:포토레지스트 두께와 도전 과제:하이 NA EUV 리소그래피는 수치 개구(Numerical Aperture)가 증가하여 더 미세한 피처 해상도를 가능하게 하지만, 포토레지스트 두께에 있어서 새로운 과제를 수반합니다. 포토레지스트 두께가 20 nm 이하로 ..

먼저 반도체 제조용 포토마스크의 정의는 아래와 같다.(상식) " 유리기판 위에 반도체의 미세회로를 형상화 한 것. 즉, 투명한 석영기판 상층에 도포된 크롬 박막을 이용해 반도체 집적회로와 LCD 패턴을 실제 크기의 1~5배로 식각해 놓은 것으로 반도체 생산공정에 반드시 필요하다." 포토마스크(Photomask)의 세부적으로 들어가 보면 Pellicle, Pellicle Frame, Reticle,PSM등등으로 다시 세부적인 기술을 이야기를 할수 있는데.. 일단 여기서 Blank Mask쪽만 보고 그 이후의 공정이나 관련 기술적 설명은 생략하겠다. 간단히 말해 BlankMask는 즉 Photomask의 패터닝하기전의 글라스원판인 원재료를 말한다. (사실..그냥 보면 깨끗한 사각의 유리원판모습이다) 이 원판..