차세대 HBM4의 공급 상황은 주로 삼성의 개발 진행 상황을 둘러싼 불확실성에 달려 있습니다. 특히 SK 하이닉스는 HBM4가 MR-MUF 스태킹 방식을 계속 활용할 것이라고 공개적으로 발표했습니다. HBM4와 이전 버전의 HBM 간의 가장 큰 차이점은 베이스 다이 프로세스에 있습니다. DRAM 제조업체에서 전통적으로 생산한 DRAM 프로세스 대신 베이스 다이는 파운드리의 FinFET 기술을 채택할 것입니다.베이스 다이는 AI 칩 GPU와 DRAM을 연결하는 중요한 구성 요소로, HBM 하단에 위치하며 GPU와 메모리 사이의 컨트롤러 역할을 합니다. SK하이닉스가 TSMC와 협력하여 HBM4 베이스 다이를 개발하고 있다고 합니다. 다양한 고객 요구에 부응하기 위해 진행 중인 개발에는 TSMC의 12FFC..
