비하인드 인포메이션

하이 NA EUV(High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet) 리소그래피, 특히 얇은 포토레지스트(PR)에 대한 측정기술(metrology)과 결함 관리(defectivity)의 진전은 2025년경에 예상되는 하이 NA EUV 시대로의 전환에 있어 중요한 이정표입니다. 2022년 EUV 리소그래피(EUVL) 워크숍에서 인텔의 발표는 이러한 전환이 실현 가능하다는 것을 뒷받침하는 중요한 발전을 보여주었습니다.  주요 내용:포토레지스트 두께와 도전 과제:하이 NA EUV 리소그래피는 수치 개구(Numerical Aperture)가 증가하여 더 미세한 피처 해상도를 가능하게 하지만, 포토레지스트 두께에 있어서 새로운 과제를 수반합니다. 포토레지스트 두께가 20 nm 이하로 ..

우리는 지난 반세기 동안 우리는 Moore의 법칙을 생각하게 되었습니다. 즉, 주어진 실리콘 면적에서 트랜지스터의 수가 대략 매 두 해마다 두 배로 증가하여 컴퓨팅을 발전시키는 이득을 얻는 것을 자연적이고 불가피한 과정인 것처럼 그냥 발생하는 것으로 여기게 되었습니다. 그러나 현실은 달라요. Moore의 법칙과 발맞추기 위해서는 거의 상상할 수 없는 시간, 에너지 및 인간적 창의력의 비용이 필요합니다. 지구상에서 가장 복잡한 기계장비들로 무한한 면적을 가득 채우며 전 세계 여러 대륙에서 수천 명의 사람들이 참여해야 합니다. 이러한 기계 중 가장 중요한 것 중 하나는 극자외선(EUV) 리소그래피(photolithography)를 수행하는 기계입니다. 수십 년간의 연구 개발 끝에 나온 EUV 리소그래피는 지..