비하인드 인포메이션

하이 NA EUV(High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet) 리소그래피, 특히 얇은 포토레지스트(PR)에 대한 측정기술(metrology)과 결함 관리(defectivity)의 진전은 2025년경에 예상되는 하이 NA EUV 시대로의 전환에 있어 중요한 이정표입니다. 2022년 EUV 리소그래피(EUVL) 워크숍에서 인텔의 발표는 이러한 전환이 실현 가능하다는 것을 뒷받침하는 중요한 발전을 보여주었습니다.  주요 내용:포토레지스트 두께와 도전 과제:하이 NA EUV 리소그래피는 수치 개구(Numerical Aperture)가 증가하여 더 미세한 피처 해상도를 가능하게 하지만, 포토레지스트 두께에 있어서 새로운 과제를 수반합니다. 포토레지스트 두께가 20 nm 이하로 ..

아래 Paper는 high NA EUV 리소그래피에서 포커스 윈도우 제어가 점점 더 어려워지고 있으며, 전문가들은 광학적 방법(레벨링, 회절 기반 포커스)으로 포커스 제어를 고려하고 있으며, 피드백-피드포워드 고급 공정 제어에서 온-프로덕트 피처를 사용한 전자빔 기반 포커스 제어를 추가할 가능성도 있다고 언급하고 있습니다. 포토레지스트(PR) 두께가 약 20nm 이하로 감소함에 따라 SEM 기반의 정밀한 CD(임계 치수)와 위치 오류 계측이 어려워질 것입니다. 현재 Hitachi와 AMAT는 많은 하드웨어 개선을 도입하고 있습니다. High NA EUV 패터닝 시대를 맞이하여 이러한 기술들이 중요해질 것입니다.