이번에는 Dram의 GATE형성과정입니다. Gate Poly Oxide 공정은 DRAM 트랜지스터의 게이트 구조를 형성하는 핵심 공정입니다. 게이트 산화막 형성, 폴리실리콘 증착, 포토리소그래피, 에칭, 어닐링 등 일련의 공정을 통해 고성능의 게이트 전극이 만들어집니다. Gate Poly Oxidation 공정은 반도체 제조에서 중요한 단계로, 폴리실리콘 게이트 위에 얇은 산화막을 형성하는 과정을 말합니다. 이 산화막은 게이트 전극의 절연 및 보호 기능을 제공하고, 나중에 형성되는 Metal Gate 및 Dielectric Layer와의 계면 특성을 향상시키는 역할을 합니다.Gate Hump 처리 공정은 트랜지스터 게이트의 물리적 또는 전기적 특성에서 발생할 수 있는 불균일성이나 결함을 보정하기 위한 기..
