비하인드 인포메이션

이번에는 Dram의 GATE형성과정입니다. Gate Poly Oxide 공정은 DRAM 트랜지스터의 게이트 구조를 형성하는 핵심 공정입니다. 게이트 산화막 형성, 폴리실리콘 증착, 포토리소그래피, 에칭, 어닐링 등 일련의 공정을 통해 고성능의 게이트 전극이 만들어집니다. Gate Poly Oxidation 공정은 반도체 제조에서 중요한 단계로, 폴리실리콘 게이트 위에 얇은 산화막을 형성하는 과정을 말합니다. 이 산화막은 게이트 전극의 절연 및 보호 기능을 제공하고, 나중에 형성되는 Metal Gate 및 Dielectric Layer와의 계면 특성을 향상시키는 역할을 합니다.Gate Hump 처리 공정은 트랜지스터 게이트의 물리적 또는 전기적 특성에서 발생할 수 있는 불균일성이나 결함을 보정하기 위한 기..

DRAM에서 Dual Gate Oxide Scheme은 반도체 소자의 게이트 산화막 두께를 두 가지로 나누어 설계하는 방법을 말합니다. 이 방식은 DRAM 소자의 성능을 최적화하고, 고속 동작과 신뢰성을 동시에 확보하기 위해 사용됩니다.Dual Gate Oxide Scheme의 개념두 가지 다른 두께의 게이트 산화막 사용:DRAM 소자의 트랜지스터에서 게이트 산화막의 두께를 두 가지로 구분하여 설계합니다. 일반적으로 얇은 산화막과 두꺼운 산화막을 사용하게 됩니다.얇은 산화막:얇은 산화막은 **접속 트랜지스터(access transistor)**와 같이 고속 동작이 요구되는 소자에 사용됩니다. 얇은 산화막은 게이트 전압에 더 민감하게 반응하여 전자 이동 속도가 빨라지고, 이로 인해 전류 구동 능력이 향상되..

반도체 Dram의 이야기를 위한 글을 시작하려고 한다. 먼저 반도체 Dram의 첫 시작은 Isolation이다.반도체에서 isolation은 트랜지스터와 같은 소자들 사이를 전기적으로 절연시키는 것을 의미합니다. 이는 소자 간의 전류 흐름을 방지하고, 의도하지 않은 회로 구성을 막기 위해 필요합니다. 일반적으로 유전체(dielectrics), 주로 산화물(oxide)을 사용하여 절연을 합니다. Isolation 방법에는 대표적으로 STI(Shallow Trench Isolation)가 있습니다. 즉 반도체 칩 내부에는 수많은 소자(트랜지스터, 다이오드, 저항 등)가 매우 좁은 공간에 밀집되어 있습니다. 이러한 소자들은 각자 독립적으로 작동해야 하며, 전기적으로 간섭 없이 자신만의 기능을 수행해야 합니다...