DRAM에서 Dual Gate Oxide Scheme은 반도체 소자의 게이트 산화막 두께를 두 가지로 나누어 설계하는 방법을 말합니다. 이 방식은 DRAM 소자의 성능을 최적화하고, 고속 동작과 신뢰성을 동시에 확보하기 위해 사용됩니다.Dual Gate Oxide Scheme의 개념두 가지 다른 두께의 게이트 산화막 사용:DRAM 소자의 트랜지스터에서 게이트 산화막의 두께를 두 가지로 구분하여 설계합니다. 일반적으로 얇은 산화막과 두꺼운 산화막을 사용하게 됩니다.얇은 산화막:얇은 산화막은 **접속 트랜지스터(access transistor)**와 같이 고속 동작이 요구되는 소자에 사용됩니다. 얇은 산화막은 게이트 전압에 더 민감하게 반응하여 전자 이동 속도가 빨라지고, 이로 인해 전류 구동 능력이 향상되..
